pLVX-EF1a-IDH1-R132H-FLAG-IRES-Puro質(zhì)粒
復(fù)制子pUC
原核抗性Amp
真核抗性Puro
克隆菌株Stbl3
培養(yǎng)條件37℃
質(zhì)粒宿主哺乳細胞
質(zhì)粒用途蛋白表達
片段類型基因CDS
片段物種人
原核抗性氨芐青霉素
真核抗性嘌呤霉素

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注意事項：轉(zhuǎn)化前請準確查找該質(zhì)粒相應(yīng)的抗生素名稱、抗生素使用濃度、感受態(tài)名稱和培養(yǎng)溫度。
1、收到質(zhì)粒干粉后請先5000rpm離心1min，再加入20μl~50μl無菌水或 pH8.0 的 1*TE緩沖液來溶解質(zhì)粒，室溫放置1min；

2、從-80℃冰箱中取出相應(yīng)的感受態(tài)，置于冰盒上解凍，并做好標記；

3、取2μl質(zhì)粒加至100μl感受態(tài)中，冰浴30min；

4、42℃熱激90s，再冰浴2min；

5、加入900μl無抗的LB液體培養(yǎng)基，180rpm震蕩培養(yǎng)45min；

6、6000rpm離心5min，僅留100ul上清混勻菌體沉淀；

7、混勻后的菌液加至對應(yīng)抗性的LB平板上，倒入適量玻璃珠，涂勻液體；

8、將平板正向培養(yǎng)1h，再倒置培養(yǎng)12h~16h；

9、挑取單克隆菌落至對應(yīng)抗性的LB液體培養(yǎng)基中，震蕩培養(yǎng)12h~16h，根據(jù)實驗需要提取質(zhì)粒

pET28a-TNC蛋白表達質(zhì)粒

pHSG396基因模板質(zhì)粒

pLVX-EF1a-IDH1-R132H-FLAG-IRES-Puro蛋白表達質(zhì)粒

pCAMBIA1300-nLuc雙分子熒光質(zhì)粒

pCAMBIA1300-cLuc雙分子熒光質(zhì)粒

pGEM-TmpRSS11D基因模板質(zhì)粒

pET20b-IA2蛋白表達質(zhì)粒

pLentiCRISPRV2-SQSTM1-sgRNA2(human)基因編輯質(zhì)粒

pMES4基因模板質(zhì)粒

pET22b-Ag43蛋白表達質(zhì)粒

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pLVX-EF1a-IDH1-R132H-FLAG-IRES-Puro質(zhì)粒復(fù)制子pUC原核抗性Amp真核抗性Puro克隆菌株Stbl3培養(yǎng)條件37℃質(zhì)粒宿主哺乳細胞質(zhì)粒用途蛋白表達片段類型基因CDS片段物種人原核抗性氨芐青霉素真核抗性嘌呤霉素

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原核抗性Amp
真核抗性Puro
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培養(yǎng)條件37℃
質(zhì)粒宿主哺乳細胞
質(zhì)粒用途蛋白表達
片段類型基因CDS
片段物種人
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